Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия

Параметры электрически активных центров, образующихся в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия в кремний в разных средах, исследовались методами Холла и емкостной спектроскопии. Установлено, что изменение удельного сопротивления в n-базе изготовленных структур с $p$–$n$-переходами контролируется образованием трех донорных уровней $Q1$, $E4$, $Q3$ с энергиями $E_c$ – 0.31, $E_c$ – 0.27 и $E_c$ – 0.16 эВ. После диффузии в хлорсодержащей атмосфере вводится только один уровень $E4$, но его концентрация меньше в 2.5 раза по сравнению с диффузией на воздухе. Значения энергии ионизации уровня $Q3$, измеренные в равновесных (эффект Холла) и неравновесных (емкостная спектроскопия) условиях, практически совпадают. Наиболее глубокий уровень $E1$ с энергией $E_c$ – 0.54 эВ, образующийся после диффузии в обеих средах, не оказывает влияния на значение удельного сопротивления в $n$-базе структур.