|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 2, страницы 264–266
(Mi phts7837)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов
П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
Аннотация:
Кремниевые пленки на сапфировой подложке были получены с помощью рекристаллизации с границы раздела кремний–сапфир. Аморфный слой формировался при помощи ионной имплантации с энергией ионов кремния 90–150 кэВ. Рентгеновская кривая качания использовалась для оценки кристаллического совершенства кремниевых пленок. После рекристаллизации кремниевый слой состоял из двух частей с разным структурным качеством. Рекристаллизованные структуры кремний на сапфире имеют высокосовершенный верхний слой (для производства приборов микроэлектроники) и нижний слой с большим количеством дефектов, прилегающий к сапфировой подложке.
Поступила в редакцию: 06.08.2012 Принята в печать: 13.08.2012
Образец цитирования:
П. А. Александров, К. Д. Демаков, С. Г. Шемардов, Ю. Ю. Кузнецов, “Исследование рекристаллизации KHC-структур при разных энергиях аморфизирующего пучка ионов”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 264–266; Semiconductors, 47:2 (2013), 298–300
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7837 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i2/p264
|
|