|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 293–297
(Mi phts7842)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне
А. И. Артамкинa, А. А. Добровольскийa, А. А. Винокуровa, В. П. Зломановa, С. Н. Даниловb, В. В. Бельковc, Л. И. Рябоваa, Д. Р. Хохловa a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Университет Регенсбурга, D-93053 Регенсбург, Германия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Показано, что монокристаллы PbTe(V) обладают фоточувствительностью в терагерцовом спектральном диапазоне вплоть до длины волны 280 мкм. Измерения проводились в области температур 8–300 K. В указанном температурном интервале проводимость кристаллов в темновом состоянии активационным образом зависит от температуры и изменяется на 4 порядка величины, что обусловлено эффектом стабилизации уровня Ферми на 20 мэВ ниже дна зоны проводимости. С повышением температуры и соответственно с ростом проводимости образцов амплитуда фотоотклика существенно возрастает. Полученный результат интерпретируется в рамках модели, учитывающей значительное уширение примесного уровня ванадия и его смещение к дну зоны проводимости с ростом температуры.
Поступила в редакцию: 02.04.2012 Принята в печать: 09.04.2012
Образец цитирования:
А. И. Артамкин, А. А. Добровольский, А. А. Винокуров, В. П. Зломанов, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 293–297; Semiconductors, 47:3 (2013), 319–322
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7842 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i3/p293
|
|