Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 293–297 (Mi phts7842)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне

А. И. Артамкинa, А. А. Добровольскийa, А. А. Винокуровa, В. П. Зломановa, С. Н. Даниловb, В. В. Бельковc, Л. И. Рябоваa, Д. Р. Хохловa

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Университет Регенсбурга, D-93053 Регенсбург, Германия
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Показано, что монокристаллы PbTe(V) обладают фоточувствительностью в терагерцовом спектральном диапазоне вплоть до длины волны 280 мкм. Измерения проводились в области температур 8–300 K. В указанном температурном интервале проводимость кристаллов в темновом состоянии активационным образом зависит от температуры и изменяется на 4 порядка величины, что обусловлено эффектом стабилизации уровня Ферми на 20 мэВ ниже дна зоны проводимости. С повышением температуры и соответственно с ростом проводимости образцов амплитуда фотоотклика существенно возрастает. Полученный результат интерпретируется в рамках модели, учитывающей значительное уширение примесного уровня ванадия и его смещение к дну зоны проводимости с ростом температуры.
Поступила в редакцию: 02.04.2012
Принята в печать: 09.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 3, Pages 319–322
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613030032
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Артамкин, А. А. Добровольский, А. А. Винокуров, В. П. Зломанов, С. Н. Данилов, В. В. Бельков, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 293–297; Semiconductors, 47:3 (2013), 319–322
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ArtDobVin13}
\by А.~И.~Артамкин, А.~А.~Добровольский, А.~А.~Винокуров, В.~П.~Зломанов, С.~Н.~Данилов, В.~В.~Бельков, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 293--297
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7842}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319380}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 319--322
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613030032}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7842
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i3/p293
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025