Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках

Показано, что в легированном $n$-слое $p^+$–$n$–$n^+$-структур в условиях двойной инжекции при высоком уровне инжекции и определенном сочетании электрофизических параметров может произойти нарушение квазинейтральности с последующим ее восстановлением при увеличении плотности тока. Нарушение квазинейтральности влечет за собой заметное увеличение напряжения на базе, а последующее восстановление нейтральности – к резкому падению напряжения. В результате формируется $S$-образная вольт-амперная характеристика. Характерное значение пороговой плотности тока, при которой формируется участок $S$-образного сопротивления, пропорционально уровню легирования базы $N_d$.