Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 324–328 (Mi phts7848)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Влияние легирующих изовалентных примесей Bi на формирование однородных когерентно-напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs

Р. М. Пелещакa, С. К. Губаb, О. В. Кузыкa, О. О. Данькивa, И. В. Курило

a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
b Национальный университет ``Львовская политехника''
PDF полного текста (173 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: В рамках модели деформационного потенциала рассчитаны распределения всесторонней деформации в материале квантовых точек InAs с примесью Bi$^{3+}$ в матрице GaAs. Получены зависимости деформации материала сферических квантовых точек InAs с примесью замещения (Bi $\to$ As) и внедрения (Bi) от размера квантовой точки. Обсуждается качественное сопоставление модели с экспериментом. Получены данные о влиянии легирования на морфологию самоорганизованных квантовых точек InAs:Bi в матрице GaAs.
Поступила в редакцию: 30.01.2012
Принята в печать: 06.06.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 3, Pages 349–353
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613030196
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. М. Пелещак, С. К. Губа, О. В. Кузык, О. О. Данькив, И. В. Курило, “Влияние легирующих изовалентных примесей Bi на формирование однородных когерентно-напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 324–328; Semiconductors, 47:3 (2013), 349–353
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PelGubKuz13}
\by Р.~М.~Пелещак, С.~К.~Губа, О.~В.~Кузык, О.~О.~Данькив, И.~В.~Курило
\paper Влияние легирующих изовалентных примесей Bi на формирование однородных когерентно-напряженных квантовых точек InAs в матрице GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 324--328
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7848}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319386}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 349--353
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613030196}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7848
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i3/p324
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025