Выявление корреляций поверхностного интерфейса пленок $a$-Si:H методом двумерного флуктуационного анализа

Представлена реализация модифицированного метода двумерного флуктуационного анализа для выявления корреляций интерфейсов поверхности. Были исследованы модельные поверхности с известным правилом построения, с различными структурными свойствами: упорядоченные, структуры со слабой организацией, хаотические. Полученные значения скейлингового показателя сопоставлялись с известной шкалой значений. Были выявлены особенности поведения скейлинга на различных масштабах. Показано, что метод может эффективно использоваться при исследовании эволюции поверхности, например, при росте пленок неупорядоченных полупроводников, при оценке степени упорядоченности, при исследовании процессов самоорганизации. Были исследованы поверхности пленок аморфного гидрогенизированного кремния, сканы которых были получены методом атомно-силовой микроскопии. Диагностика методом двумерного флуктуационного анализа показала наличие немонофрактальности поверхностей и нескольких составляющих интерфейса поверхности – шумовой и синусоидальной.