Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 348–352 (Mi phts7852)  
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой

А. Л. Шиленасa, Ю. К. Пожелаa, К. Пожелаa, В. Юценеa, И. С. Васильевскийbc, Г. Б. Галиевb, С. С. Пушкаревb, Е. А. Климовb

a Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, 01108 Вильнюс, Литва
b Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва, Россия
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
PDF полного текста (301 kB) Список цитирования (10)
Аннотация: Исследована зависимость подвижности и дрейфовой скорости электронов от условий роста, толщины и параметров легирования InAs-вставки в центре квантовой ямы селективно легированной гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs. Получено рекордное повышение до (2–4) $\cdot$ 10$^7$ см/с дрейфовой скорости электронов в электрическом поле 5 $\cdot$ 10$^3$ В/см в квантовый яме InGaAs толщиной 17 нм при толщине нелегированной InAs-вставки 4 нм. Показано, что при дополнительном легировании InAs-вставки с повышением плотности электронов в квантовой яме до 4.0 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ максимальная дрейфовая скорость достигает 2 $\cdot$ 10$^7$ см/с в поле 7 $\cdot$ 10$^3$ В/см.
Поступила в редакцию: 16.07.2012
Принята в печать: 25.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 3, Pages 372–375
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613030263
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Л. Шиленас, Ю. К. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, Е. А. Климов, “Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 348–352; Semiconductors, 47:3 (2013), 372–375
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShiPozPoz13}
\by А.~Л.~Шиленас, Ю.~К.~Пожела, К.~Пожела, В.~Юцене, И.~С.~Васильевский, Г.~Б.~Галиев, С.~С.~Пушкарев, Е.~А.~Климов
\paper Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 348--352
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7852}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319390}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 372--375
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613030263}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7852
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i3/p348
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025