Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 360–363 (Mi phts7854)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe

К. А. Дроздов, В. И. Кочнев, А. А. Добровольский, Р. Б. Васильев, А. В. Бабынина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (755 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Внедрение в пористую матрицу SnO$_2$ нанокристаллов (коллоидных квантовых точек) CdSe приводит к появлению фотопроводимости в рассматриваемых структурах. Сенсибилизация является следствием зарядового обмена между квантовой точкой и матрицей. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости показало, что за оптическую активность структуры ответственны внедренные в матрицу нанокристаллы. Фотопроводимость структур, сенсибилизированных квантовыми точками разного размера, исследована в области температур 77–300 K. Пoказано, что максимальная фотопроводимость достигается при внедрении нанокристаллов минимального размера 2.7 нм. Обсуждаются механизмы переноса носителей заряда в матрице и кинетика зарядового обмена.
Поступила в редакцию: 27.06.2012
Принята в печать: 02.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 3, Pages 383–386
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261303007X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Дроздов, В. И. Кочнев, А. А. Добровольский, Р. Б. Васильев, А. В. Бабынина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 360–363; Semiconductors, 47:3 (2013), 383–386
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroKocDob13}
\by К.~А.~Дроздов, В.~И.~Кочнев, А.~А.~Добровольский, Р.~Б.~Васильев, А.~В.~Бабынина, М.~Н.~Румянцева, А.~М.~Гаськов, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 360--363
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7854}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319392}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 383--386
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261303007X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7854
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i3/p360
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025