Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 364–368 (Mi phts7855)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме

А. З. Рахматовa, О. А. Абдулхаевb, А. В. Каримовb, Д. М. Ёдгороваb

a OOO "FOTON", г.Ташкент
b Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз
Аннотация: Экспериментально показано, что выдерживаемая импульсная мощность ограничителей напряжения независимо от номинальной мощности уменьшается по одному и тому же закону с увеличением длительности импульса, что свидетельствует об оптимальности их конструктивных параметров. Показана взаимосвязь между переходными временами (включения и выключения) и характеристическими параметрами структуры ограничителя напряжения. Возможность излучения части мощности на резонансной частоте является дополнительным стимулом для повышения выдерживаемой мощности.
Поступила в редакцию: 30.01.2012
Принята в печать: 23.03.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 3, Pages 387–391
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613030202
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. З. Рахматов, О. А. Абдулхаев, А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова, “Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 364–368; Semiconductors, 47:3 (2013), 387–391
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RahAbdKar13}
\by А.~З.~Рахматов, О.~А.~Абдулхаев, А.~В.~Каримов, Д.~М.~Ёдгорова
\paper Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 364--368
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7855}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319393}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 387--391
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613030202}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7855
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i3/p364
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025