Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 3, страницы 426–431 (Mi phts7866)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si

А. В. Саченкоa, А. Е. Беляевa, Н. С. Болтовецb, А. О. Виноградовa, Л. М. Капитанчукc, Р. В. Конаковаa, В. П. Костылевa, Я. Я. Кудрикa, В. П. Кладькоa, В. Н. Шереметa

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Государственное предприятие НИИ "Орион", 03057, Киев, Украина
c Институт электросварки им. Е. О. Патона НАН Украины
PDF полного текста (528 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Получены аномальные температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов $\rho_c(T)$ Pd$_2$S–Ti–Au к шлифованному $n$-Si с концентрацией легирующей примеси 5 $\cdot$ 10$^{16}$, 3 $\cdot$ 10$^{17}$ и 8 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$. Аномальные зависимости $\rho_c(T)$ были объяснены в предположении протекания тока по наноразмерным металлическим шунтам, совмещенным с дислокациями с учетом диффузионного ограничения подвода носителей. Определены плотности проводящих и рассеивающих дислокаций в приконтактной области полупроводника.
Поступила в редакцию: 16.07.2012
Принята в печать: 25.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 3, Pages 449–454
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613030238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, А. О. Виноградов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Костылев, Я. Я. Кудрик, В. П. Кладько, В. Н. Шеремет, “К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 426–431; Semiconductors, 47:3 (2013), 449–454
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SacBelBol13}
\by А.~В.~Саченко, А.~Е.~Беляев, Н.~С.~Болтовец, А.~О.~Виноградов, Л.~М.~Капитанчук, Р.~В.~Конакова, В.~П.~Костылев, Я.~Я.~Кудрик, В.~П.~Кладько, В.~Н.~Шеремет
\paper К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 426--431
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7866}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319404}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 3
\pages 449--454
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613030238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7866
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i3/p426
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025