Влияние $\gamma$-облучения на фотолюминесценцию кристаллов Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te, предварительно обработанных интенсивным излучением неодимового лазера

Изучено влияние предварительной обработки кристаллов Cd$_{0.9}$Zn$_{0.1}$Te мощным импульсным излучением неодимового лазера (мощность $\le$ 1.8 МВт/см$^2$, длина волны 532 нм) на индуцированную $\gamma$-облучением (доза 5 кГр) низкотемпературную (5 K) фотолюминесценцию. Полосы люминесценции обусловлены радиационно-стимулированными донорно-акцепторными парами, включающими мелкие нейтральные доноры и стимулированные $\gamma$-облучением нейтральные вакансии кадмия, переходом свободных электронов на нейтральные созданные радиацией вакансии кадмия и аннигиляцией связанных на последних экситонов. Показано, что в предварительно обработанных лазерным излучением кристаллах интенсивности $\gamma$-стимулированных полос люминесценции слущественно ниже, чем в не обработанных лазерным излучением. Этот факт объясняется понижением концентрации созданных $\gamma$-облучением вакансий кадмия вследствие их аннигиляции при взаимодействии с лазерно-стимулированными дефектами, в частности вследствии их рекомбинации на лазерно-стимулированных межузельных атомах кадмия.