Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 442–446 (Mi phts7869)  
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов 6H-SiC

А. Н. Грузинцев

Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
PDF полного текста (223 kB)
Аннотация: Исследовано влияние ультрафиолетового облучения поверхности монокристаллов карбида кремния (6H-SiC) на их оптическое отражение в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что сигнал фотоотражения максимален при падении света под углом Брюстера с поляризацией, параллельной плоскости падения. Установлено относительное изменение показателя преломления (10$^{-3}$) поверхностных слоев кристалла при облучении азотным лазером, обусловленное генерацией неравновесных свободных носителей в зоне проводимости материала.
Поступила в редакцию: 09.06.2012
Принята в печать: 21.06.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 4, Pages 464–468
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613040118
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Грузинцев, “Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 442–446; Semiconductors, 47:4 (2013), 464–468
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Gru13}
\by А.~Н.~Грузинцев
\paper Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов 6\emph{H}-SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 442--446
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7869}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319407}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 464--468
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613040118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7869
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i4/p442
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025