Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 447–459 (Mi phts7870)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки

В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (1202 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Приведены результаты комплексных исследований влияния на наноморфологию поверхности монокристаллов кремния кристаллографической ориентации (100) с естественным оксидным слоем низкоэнергетичной СВЧ плазменной микрообработки с различной селективностью воздействия. Рассмотрены основные характеристические параметры и модельные механизмы процессов, обеспечивающих управление наноморфологией поверхности кристаллов кремния при СВЧ плазменной микрообработке в условиях слабой адсорбции. Изложены фундаментальные причины и факторы, лежащие в основе процессов релаксационной самоорганизации наноморфологии как свободной поверхности кремния заданной кристаллографической ориентации, так и защищенной естественным оксидным покрытием под воздействием плазменной микрообработки.
Поступила в редакцию: 19.04.2012
Принята в печать: 10.05.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 4, Pages 469–480
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613040192
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Я. Шаныгин, Р. К. Яфаров, “Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 447–459; Semiconductors, 47:4 (2013), 469–480
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShaYaf13}
\by В.~Я.~Шаныгин, Р.~К.~Яфаров
\paper Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 447--459
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7870}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319408}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 469--480
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613040192}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7870
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i4/p447
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025