Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 460–465 (Mi phts7871)  

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$

А. В. Ершов, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, А. И. Машин, Д. А. Павлов, А. В. Нежданов, А. И. Бобров, Д. А. Грачев

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Методом поочередного осаждения вакуумным испарением SiO и SiO$_2$ из раздельных источников были получены аморфные многослойные нанопериодические структуры (МНС) $a$-SiO$_x$/SiO$_2$ с периодами 5–10 нм и числом слоев до 64. Исследовано влияние отжига при температурах $T_a$ = 500–1100$^\circ$C на структурные и оптические свойства МНС. Результаты использования просвечивающей электронной микроскопии образцов, отожженных при 1100$^\circ$C, указали на формирование квазипериодических вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов кремния с размерами, соизмеримыми с толщиной слоев $a$-SiO$_x$ исходных МНС. После отжига при 1100$^\circ$C наноструктуры обладали размернозависимой фотолюминесценцией в области 750–830 нм, связанной с нанокристаллами Si. Результаты по инфракрасному поглощению и комбинационному рассеянию света показали, что термическая эволюция структурно-фазовых состояний в слоях SiO$_x$ МНС с увеличением температуры отжига осуществляется через образование аморфных нановключений Si с последующим формированием и ростом нанокристаллов Si.
Поступила в редакцию: 10.05.2012
Принята в печать: 21.05.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 4, Pages 481–486
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613040064
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Ершов, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, А. И. Машин, Д. А. Павлов, А. В. Нежданов, А. И. Бобров, Д. А. Грачев, “Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 460–465; Semiconductors, 47:4 (2013), 481–486
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ErsChuTet13}
\by А.~В.~Ершов, И.~А.~Чугров, Д.~И.~Тетельбаум, А.~И.~Машин, Д.~А.~Павлов, А.~В.~Нежданов, А.~И.~Бобров, Д.~А.~Грачев
\paper Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 460--465
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7871}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319409}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 481--486
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613040064}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7871
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i4/p460
  • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025