Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/$n$-GaAs/AlGaAs

Теоретически исследуются характеристики кулоновского рассеяния электронов проводимости на мелких донорных центрах в гетероструктурах Al$_x$Ga$_{1-x}$As/$n$-GaAs/Al$_x$Ga$_{1-x}$As с квантовыми ямами при учете влияния резонансных состояний. Резонансные состояния возникают под возбужденными подзонами размерного квантования вследствие наличия доноров. Найдены асимметричные резонансные особенности в спектрах полного и транспортного сечений кулоновского рассеяния в окрестности резонансных значений энергии. Показано, что особенности не являются малым эффектом: вблизи резонансных значений энергии сечения могут в несколько раз отличаться от соответствующих величин для нерезонансного случая.