Метастабильные состояния в структурах с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu, Eu + Sm

На основании измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN$\langle$Sm$\rangle$, InGaN/GaN$\langle$Eu$\rangle$ показано, что воздействие магнитного поля приводит к реализации ван-флековского парамагнетизма для Eu$^{3+}$ и Sm$^{3+}$. После измерений спектров микрофотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе InGaN/GaN, легированных Sm, Eu + Sm, при высоком уровне возбуждения (более 10$^{23}$ фотон/(см$^2$ $\cdot$ с) ), в магнитных полях, во вновь измеренных спектрах макрофотолюминесценции отсутствовали линии излучения из квантовых ям, имеющиеся в ранее измеренных спектрах макрофотолюминесценции. Это свидетельствует о наличии фотоиндуцированных дефектов. Отжиг исследованных структур InGaN/GaN$\langle$Sm$\rangle$, InGaN$\langle$Eu+Sm$\rangle$ приводит к уменьшению концентрации фотоиндуцированных дефектов.