Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности

Предложен единый подход к описанию баллистических токов монополярной инжекции для наноструктур разных размерностей. Показано, что в случаях трехмерных, двумерных и одномерных структур задача сводится к нелинейному интегральному уравнению с безразмерным параметром, который задает коэффициент в универсальной зависимости тока от напряжения. Доказано, что для каждой размерности существует максимально возможное значение этого параметра, которое является аналогом порога Бурсиана для вакуумного диода. Найдены вольт-амперные характеристики, распределения потенциала и концентрации инжектированных зарядов для трехмерных, двумерных и одномерных наноструктур.