Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 516–520 (Mi phts7879)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки

А. Н. Грузинцевa, А. Н. Редькинa, C. Opokub, М. Н. Шкуновa

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Advanced Technology Institute, University of Surrey, Guildford, GU2 7XH, UK
PDF полного текста (361 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Посвящена изготовлению и электрическим параметрам полевых транзисторов (FETs) с коротким каналом (2 мкм) на основе наностержней ZnO. Для изготовления полевых транзисторов использовались наностержни ZnO, полученные методом CVD-синтеза без катализатора. Хотя полевые транзисторы из коротких монокристаллических наностержней ZnO имеют хорошие электрические параметры: крутизну 100 нС, подвижность носителей 6 см$^2$/(B $\cdot$ с) и большой коэффициент запирания 10$^4$, их характеристики зависят от длины наностержней. Исследовано влияние величины напряжения сток-исток на значение порогового напряжения отсечки на затворе.
Поступила в редакцию: 30.05.2012
Принята в печать: 21.06.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 4, Pages 538–542
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613040106
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, C. Opoku, М. Н. Шкунов, “Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 516–520; Semiconductors, 47:4 (2013), 538–542
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GruRedOpo13}
\by А.~Н.~Грузинцев, А.~Н.~Редькин, C.~Opoku, М.~Н.~Шкунов
\paper Полевой транзистор на основе наностержней ZnO с изменяемым пороговым напряжением отсечки
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 516--520
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7879}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319417}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 538--542
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613040106}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7879
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i4/p516
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025