Поведение Bi в решетке CdTe и эффект компенсации в CdTe : Bi

Кристаллы CdTe двух типов: легированные Bi с содержанием $\sim$ 10$^{18}$ см$^{-3}$ и кристаллы двойного легирования с концентрацией Bi $\sim$ 10$^{18}$ см$^{-3}$ и Cl с концентрацией $\sim$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ были выращены вертикальным методом Бриджмена. На полученных кристаллах были исследованы температурная зависимость удельного сопротивления, фотопроводимость и низкотемпературная фотолюминесценция. Исследования показали, что легирование Bi (кристаллы первого типа) приводит к компенсации материала. Удельное сопротивление образцов CdTe : Bi при комнатной температуре в зависимости от уровня легирования варьируется в интервале 10$^5$–10$^9$ Ом $\cdot$ см. В слабо легированных образцах CdTe : Bi концентрация дырок определяется акцептором $E_v$ + 0.4 эВ, а в сильно легированных образцах CdTe : Bi – глубоким центром $E_v$ + 0.72 эВ. Двойное же легирование приводит к инверсии типа проводимости и понижению удельного сопротивления до $\sim$ 1 Ом $\cdot$ см. В сильно легированных кристаллах CdTe : Bi и в кристаллах двойного легирования обнаружен акцептор с нетипичной для CdTe энергией ионизации 36 мэВ.