Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 546–550 (Mi phts7883)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структурные и оптические свойства тонких пленок In$_2$O$_3$, полученных автоволновым окислением

И. А. Тамбасовab, В. Г. Мягковa, А. А. Иваненкоa, И. В. Немцевa, Л. Е. Быковаa, Г. Н. Бондаренкоc, Ю. Л. Михлинc, И. А. Максимовc, В. В. Ивановb, С. В. Балашовb, Д. С. Карпенкоb

a Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск
b ОАО "Информационные спутниковые системы им. академика М. Ф. Решетнева", г. Железногорск
c Институт химии и химической технологии СО РАН, г. Красноярск
Аннотация: Пленки кубической фазы In$_2$O$_3$ получены автоволновой реакцией окисления. Электронно-микроскопические исследования и фотоэлектронная спектроскопия профилей распределения показали, что образцы однородны по всей площади и толщине, характерный размер зерна 20–40 нм. Проведены исследования оптических и электрических свойств пленок In$_2$O$_3$ , полученных при различном давлении в вакуумной камере. В диапазоне длины волн 400–1100 нм пленки имели прозрачность более 85% и удельное сопротивление 1.8 $\cdot$ 10$^{-2}$ Ом $\cdot$ см.
Поступила в редакцию: 16.05.2012
Принята в печать: 31.05.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 4, Pages 569–573
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613040210
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Тамбасов, В. Г. Мягков, А. А. Иваненко, И. В. Немцев, Л. Е. Быкова, Г. Н. Бондаренко, Ю. Л. Михлин, И. А. Максимов, В. В. Иванов, С. В. Балашов, Д. С. Карпенко, “Структурные и оптические свойства тонких пленок In$_2$O$_3$, полученных автоволновым окислением”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 546–550; Semiconductors, 47:4 (2013), 569–573
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TamMyaIva13}
\by И.~А.~Тамбасов, В.~Г.~Мягков, А.~А.~Иваненко, И.~В.~Немцев, Л.~Е.~Быкова, Г.~Н.~Бондаренко, Ю.~Л.~Михлин, И.~А.~Максимов, В.~В.~Иванов, С.~В.~Балашов, Д.~С.~Карпенко
\paper Структурные и оптические свойства тонких пленок In$_2$O$_3$, полученных автоволновым окислением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 546--550
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7883}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319422}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 569--573
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613040210}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7883
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i4/p546
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025