Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 4, страницы 564–569 (Mi phts7886)  
Эта публикация цитируется в 18 научных статьях (всего в 18 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Синтез и характеризация наноструктурированных слоев оксида цинка для сенсорики

Л. К. Крастеваa, Д. Ц. Димитровa, К. И. Папазоваa, Н. К. Николаевa, Т. В. Пешковаa, В. А. Мошниковb, И. Е. Грачеваb, С. С. Карповаb, Н. В. Каневаa

a Софийский университет, 1164 София, Болгария
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (815 kB) Список цитирования (18)
Аннотация: Созданы фрактальные структуры и массивы нанопроволок на основе оксида цинка методом золь-гель, а также с помощью комбинации золь-гель синтеза и метода химического осаждения из раствора. Проанализированы газочувствительные свойства полученных структур. Выявлено, что наилучшей чувствительностью к восстанавливающим парам этанола обладает структура, нижний слой которой представляет собой массив нанопроволок оксида цинка, модифицированный путем четырех погружений в раствор нитрата меди.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 25.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 4, Pages 586–591
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613040155
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. К. Крастева, Д. Ц. Димитров, К. И. Папазова, Н. К. Николаев, Т. В. Пешкова, В. А. Мошников, И. Е. Грачева, С. С. Карпова, Н. В. Канева, “Синтез и характеризация наноструктурированных слоев оксида цинка для сенсорики”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 564–569; Semiconductors, 47:4 (2013), 586–591
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KraDimPap13}
\by Л.~К.~Крастева, Д.~Ц.~Димитров, К.~И.~Папазова, Н.~К.~Николаев, Т.~В.~Пешкова, В.~А.~Мошников, И.~Е.~Грачева, С.~С.~Карпова, Н.~В.~Канева
\paper Синтез и характеризация наноструктурированных слоев оксида цинка для сенсорики
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 564--569
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7886}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319425}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 4
\pages 586--591
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613040155}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7886
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i4/p564
    • Эта публикация цитируется в следующих 18 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025