Механизм переноса заряда в тонких пленках твердых растворов Bi$_2$(Tе$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$

Исследованы электропроводность, эффект Холла и магнитосопротивление в тонких пленках Bi$_2$(Tе$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$ в широком интервале температур 2.5–300 K и в сильных магнитных полях вплоть до 8 Тл. Обнаружено, что, в то время как в объемных монокристаллах проводимость имеет “металлический” характер, в тонких пленках Bi$_2$(Tе$_{0.9}$Se$_{0.1}$)$_3$ проводимость “диэлектрического” типа. Предложено, что при высоких температурах 100–300 K проводимость определяется в основном термоактивированными носителями заряда по протяженным состояниям зоны проводимости с энергией активации примерно равной 15 мэВ. При более низких температурах 2.5–70 K доминирует проводимость, обусловленная прыжками носителей заряда по локализованным состояниям, лежащим в узкой полоске энергий вблизи уровня Ферми. Из данных магнитосопротивления и электропроводности оценены радиус локализации, а также плотность локализованных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда.