Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления

Изучены вольт-амперные, вольт-фарадные и вольт-сименсные характеристики структур металл–Ga$_x$O$_y$–металл. Пленки оксида галлия толщиной 150–170 нм получали термическим напылением порошка Ga$_2$O$_3$ на подложки электронного GaAs с концентрацией доноров $N_d$ = 2 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$. После обработки пленок Ga$_x$O$_y$ в кислородной плазме снижаются прямые и обратные токи; $C$–$U$ и $G$–$U$ зависимости сдвигаются в область более высоких положительных напряжений. Уровень Ферми на границе раздела диэлектрик–полупроводник исследованных структур откреплен. Показано, что на границе Ga$_x$O$_y$–GaAs плотность состояний $N_t$ = (2–6) $\cdot$ 10$^{12}$ эВ$^{-1}$см$^{-2}$.