Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 608–612 (Mi phts7895)  
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Резонансное неупругое рассеяние света и фотолюминесценция в изолированных квантовых точках nc-Si/SiO$_2$

Ф. Д. Байрамовab, В. В. Топоровa, Е. Д. Полоскинa, Б. Х. Байрамовa, C. Röderc, C. Sprungc, K. Bohmhammelc, J. Seidelc, G. Irmerc, A. Lashkuld, E. Lähderantad, Y. W. Songe

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Institutre of Theoretical Physics, University of Mining and Technology, Freiberg, Germany
d Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
e Korea Polytechnic University, 2121, Jyndwang-dong, Siheungcity, Gyeonggi-do, 429-793, Korea
PDF полного текста (238 kB) Список цитирования (12)
Аннотация: Сообщается об обнаружении при комнатной температуре спектров резонансного неупругого рассеяния света пространственно ограниченными оптическими фононами, а также экситонной фотолюминесценции, обусловленной эффектами размерного квантования для образцов, состоящих из ансамбля изолированных квантовых точек (КТ) nc-Si/SiO$_2$. Показано, что исследовавшиеся образцы являются сверхчистыми КТ nc-Si/SiO$_2$ высокого кристаллического совершенства без присутствия аморфной фазы $\alpha$-Si и вредных химических реагентов. Путем сравнения полученных экспериментальных данных с феноменологической теорией в модели сильного пространственного ограничения оптических фононов выявлена необходимость учета более корректной формы весовой функция для локализованных оптических фононов. Показано, что одновременная регистрация спектров неупругого рассеяния света локализованными фононами и экситонной люминесценции электронно-дырочными парами в КТ nc-Si/SiO$_2$ дает возможность самосогласованным образом при комнатной температуре определять наиболее достоверные значения диаметра КТ nc-Si/SiO$_2$.
Поступила в редакцию: 17.07.2012
Принята в печать: 17.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 5, Pages 623–627
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261302005X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ф. Д. Байрамов, В. В. Топоров, Е. Д. Полоскин, Б. Х. Байрамов, C. Röder, C. Sprung, K. Bohmhammel, J. Seidel, G. Irmer, A. Lashkul, E. Lähderanta, Y. W. Song, “Резонансное неупругое рассеяние света и фотолюминесценция в изолированных квантовых точках nc-Si/SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 608–612; Semiconductors, 47:5 (2013), 623–627
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BayTopPol13}
\by Ф.~Д.~Байрамов, В.~В.~Топоров, Е.~Д.~Полоскин, Б.~Х.~Байрамов, C.~R\"oder, C.~Sprung, K.~Bohmhammel, J.~Seidel, G.~Irmer, A.~Lashkul, E.~L\"ahderanta, Y.~W.~Song
\paper Резонансное неупругое рассеяние света и фотолюминесценция в изолированных квантовых точках nc-Si/SiO$_2$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 608--612
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7895}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319434}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 623--627
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261302005X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7895
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p608
    • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025