Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 613–620 (Mi phts7896)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эволюция размеров доменов при переключении состояний одномерной системы с дефектами

Б. В. Петухов

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН, г. Москва
PDF полного текста (264 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Кинетика распада метастабильных состояний в совершенных материалах успешно описывается известной статистической теорией Колмогорова–Джонсона-Мела. В предлагаемой работе эта теория обобщается с учетом влияния хаотически расположенных дефектов, создающих задержки для распространения границ новой фазы, применительно к одномерным системам. Рассчитывается случайно неоднородная в пространстве и времени картина (pattern) фазового превращения в зависимости от плотности препятствий и длительности создаваемых ими времен задержек. Теория применима к протяженным контактам больших интегральных схем, магнитным нанопроволокам, интеркапсулированным в углеродные нанотрубки квазиодномерным полупроводникам, биологическим макромолекулам и многим другим системам.
Поступила в редакцию: 16.04.2012
Принята в печать: 06.06.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 5, Pages 628–635
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613050187
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. В. Петухов, “Эволюция размеров доменов при переключении состояний одномерной системы с дефектами”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 613–620; Semiconductors, 47:5 (2013), 628–635
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pet13}
\by Б.~В.~Петухов
\paper Эволюция размеров доменов при переключении состояний одномерной системы с дефектами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 613--620
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7896}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319435}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 628--635
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613050187}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7896
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p613
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025