Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 626–632 (Mi phts7898)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения

А. Е. Бердников, В. Н. Гусев, А. А. Мироненко, А. А. Попов, А. В. Перминов, А. С. Рудый, В. Д. Черномордик

Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН
PDF полного текста (288 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики МДП структур с диэлектриками на базе оксида кремния, полученных низкочастотным (55 кГц) плазмохимическим осаждением. Особенностью используемых диэлектриков были включения частиц других материалов с меньшей шириной запрещенной зоны. Установлено, что такие структуры обладают свойством биполярного переключения проводимости. Наилучшими характеристиками эффекта переключения проводимости обладали МДП структуры с многослойным диэлектриком, содержащим дополнительные слои нитрида кремния нанометровой толщины.
Поступила в редакцию: 25.06.2012
Принята в печать: 25.07.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 5, Pages 641–646
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613050072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Бердников, В. Н. Гусев, А. А. Мироненко, А. А. Попов, А. В. Перминов, А. С. Рудый, В. Д. Черномордик, “Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 626–632; Semiconductors, 47:5 (2013), 641–646
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BerGusMir13}
\by А.~Е.~Бердников, В.~Н.~Гусев, А.~А.~Мироненко, А.~А.~Попов, А.~В.~Перминов, А.~С.~Рудый, В.~Д.~Черномордик
\paper Эффект переключения проводимости в МДП структурах с диэлектриками на базе кремния, полученными методом низкочастотного плазмохимического осаждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 626--632
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7898}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319437}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 641--646
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613050072}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7898
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p626
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025