Проводимость нанокристаллического ZnO(Ga)

Методом соосаждения из водных растворов с последующим отжигом при 250$^\circ$C были синтезированы нанокристаллические порошки оксида цинка с разным содержанием галлия – ZnO(Ga). Зависимость проводимости образцов от содержания галлия является немонотонной. Исследованы температурные зависимости проводимости. Введение небольшого количества галлия (0.33–0.50 ат%) приводит к уменьшению величины энергии активации и высоты “эффективного” потенциального барьера между нанокристаллами по сравнению с оксидом цинка, затем происходит их увеличение с ростом содержания галлия. Полученные данные объяснены на основе модели неоднородного полупроводника с крупномасштабными флуктуациями потенциала.