Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 649–651 (Mi phts7903)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Углеродные системы

Туннельный ток контакта между графеновыми нанолентами с примесными атомами

М. Б. Белоненкоab, А. В. Пакc, Н. Г. Лебедевc

a Волгоградский институт бизнеса (лаборатория нанотехнологий), 400048 Волгоград, Россия
b Entropique Inc., London, N6J 3S2, ON, Canada
c Волгоградский государственный университет
Аннотация: На основании рассчитанной ранее плотности состояний для исследуемого материала были получены вольт-амперные характеристики туннельного контакта между двумя графеновыми нанолентами с примесными атомами. Построены зависимости от геометрических и энергетических характеристик нанолент.
Поступила в редакцию: 21.03.2012
Принята в печать: 29.05.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 5, Pages 662–664
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613050060
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Б. Белоненко, А. В. Пак, Н. Г. Лебедев, “Туннельный ток контакта между графеновыми нанолентами с примесными атомами”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 649–651; Semiconductors, 47:5 (2013), 662–664
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelTеnLeb13}
\by М.~Б.~Белоненко, А.~В.~Пак, Н.~Г.~Лебедев
\paper Туннельный ток контакта между графеновыми нанолентами с примесными атомами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 649--651
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7903}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319442}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 662--664
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613050060}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7903
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p649
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025