Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей

Исследована фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H фотопреобразователей с начальным кпд 10.4% при плотностях потока падающего излучения 1 и 10 кВт/м$^2$ (AM1.5G). Установлено, что стабилизированное состояние достигается после 500 ч экспозиции при стандартной плотности потока излучения или после 300 минут при плотности, повышенной в 10 раз. Cнижение кпд в обоих случаях составило 1.2–1.4 абс%. Из экспериментально измеренных спектральных и вольт-амперных характеристик фотопреобразователей определены значения времен жизни неравновесных носителей заряда и рассчитаны зависимости изменения концентрации свободных (оборванных) связей в слоях $i$-$\alpha$-Si : H и $i$-$\mu c$-Si : H. Аппроксимация зависимостей осуществлялась по модифицированной модели плавающих связей. Вычисленные значения концентраций свободных связей при различных длительностях экспозиции использовались при моделировании зависимостей параметров фотопреобразователей от времени светового воздействия. Полученные результаты показали хорошее согласование расчетных темпов деградации тока и кпд тандемного фотопреобразователя с экспериментальными данными.