Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 675–683 (Mi phts7907)  

Эта публикация цитируется в 28 научных статьях (всего в 28 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур

М. И. Векслерa, С. Э. Тягиновab, Ю. Ю. Илларионовac, Yew Kwang Singd, Ang Diing Shenpd, В. В. Федоровa, Д. В. Исаковc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b TU Vienna, Institute for Mictroelectronics, 1040 Wien, Austria
c Singapore Institute of Manufacturing Technology, 638075 Singapore
d Nanyang Technological University, 639798 Singapore
Аннотация: Предлагается алгоритм расчета вольт-амперных характеристик системы металл–туннельно-тонкий диэлектрик–полупроводник, управляемой напряжением или током. Обсуждаются физические модели, взятые за основу. Работоспособность алгоритма подтверждается сопоставлением результатов моделирования с данными измерений, как полученными непосредственно авторами, так и заимствованными из литературы, для нескольких различных структур. Предполагается, что изложенных сведений достаточно для проведения расчетов электрических характеристик интересующих структур с самыми различными сочетаниями материалов: металлический или поликремниевый затвор, одно- или многослойный диэлектрик, любые тип и уровень легирования полупроводника.
Поступила в редакцию: 06.08.2012
Принята в печать: 28.08.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 5, Pages 686–694
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613050230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. И. Векслер, С. Э. Тягинов, Ю. Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В. В. Федоров, Д. В. Исаков, “Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 675–683; Semiconductors, 47:5 (2013), 686–694
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VexTyaIll13}
\by М.~И.~Векслер, С.~Э.~Тягинов, Ю.~Ю.~Илларионов, Yew~Kwang~Sing, Ang~Diing~Shenp, В.~В.~Федоров, Д.~В.~Исаков
\paper Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 675--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7907}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319446}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 686--694
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613050230}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7907
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p675
  • Эта публикация цитируется в следующих 28 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025