|
|
Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 675–683
(Mi phts7907)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 28 научных статьях (всего в 28 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур
М. И. Векслерa, С. Э. Тягиновab, Ю. Ю. Илларионовac, Yew Kwang Singd, Ang Diing Shenpd, В. В. Федоровa, Д. В. Исаковc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b TU Vienna, Institute for Mictroelectronics,
1040 Wien, Austria
c Singapore Institute of Manufacturing Technology,
638075 Singapore
d Nanyang Technological University, 639798 Singapore
Аннотация:
Предлагается алгоритм расчета вольт-амперных характеристик системы металл–туннельно-тонкий диэлектрик–полупроводник, управляемой напряжением или током. Обсуждаются физические модели, взятые за основу. Работоспособность алгоритма подтверждается сопоставлением результатов моделирования с данными измерений, как полученными непосредственно авторами, так и заимствованными из литературы, для нескольких различных структур. Предполагается, что изложенных сведений достаточно для проведения расчетов электрических характеристик интересующих структур с самыми различными сочетаниями материалов: металлический или поликремниевый затвор, одно- или многослойный диэлектрик, любые тип и уровень легирования полупроводника.
Поступила в редакцию: 06.08.2012 Принята в печать: 28.08.2012
Образец цитирования:
М. И. Векслер, С. Э. Тягинов, Ю. Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В. В. Федоров, Д. В. Исаков, “Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 675–683; Semiconductors, 47:5 (2013), 686–694
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts7907 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p675
|
|