Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 684–689 (Mi phts7908)  
Физика полупроводниковых приборов

Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором

А. М. Надточийab, W. Hofmannc, T. D. Germannc, С. А. Блохинabd, Л. Я. Карачинскийabd, М. В. Максимовab, В. А. Щукинae, А. Е. Жуковb, D. Bimbergc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, 10623 Berlin, German
d ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
e VI Systems GmbH, 10623 Berlin, Germany
PDF полного текста (616 kB)
Аннотация: Методом малосигнального анализа электрического отражения проведены исследования высокочастотных электрических свойств электрооптического модулятора, монолитно интегрированного в вертикально излучающий лазер. Полученные экспериментальные данные аппроксимированы с помощью предложенной эквивалентной электрической схемы, учитывающей формирование неравновесных пространственных зарядов в обедненной носителями заряда области модулятора. Полоса частот передачи высокочастотного электрического сигнала на электрооптически чувствительную область, определенная для предложенной электрической схемы замещения модулятора, составила 3 ГГц.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 5, Pages 695–700
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613050175
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. М. Надточий, W. Hofmann, T. D. Germann, С. А. Блохин, Л. Я. Карачинский, М. В. Максимов, В. А. Щукин, А. Е. Жуков, D. Bimberg, “Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 684–689; Semiconductors, 47:5 (2013), 695–700
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NadHofGer13}
\by А.~М.~Надточий, W.~Hofmann, T.~D.~Germann, С.~А.~Блохин, Л.~Я.~Карачинский, М.~В.~Максимов, В.~А.~Щукин, А.~Е.~Жуков, D.~Bimberg
\paper Высокочастотные электрические свойства вертикально-излучающего лазера с интегрированным электрооптическим модулятором
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 684--689
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7908}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319447}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 695--700
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613050175}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7908
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p684
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025