Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 5, страницы 696–701 (Mi phts7910)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe$_2$, облученных $\gamma$-квантами

Р. М. Сардарлыa, О. А. Самедовa, А. П. Абдуллаевa, Э. К. Гусейновb, Ф. Т. Салмановa, Н. А. Алиеваa, Р. Ш. Агаеваa

a Институт радиационных проблем НАН Азербайджана
b Институт физики НАН Азербайджана
PDF полного текста (384 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Исследованы эффект переключения, полевые и температурные зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности кристаллов TlGaTe$_2$, подвергнутых $\gamma$-облучению в различных дозах. При сравнительно низких электрических полях в кристаллах наблюдается явление порогового переключения с $S$-образной вольт-амперной характеристикой, содержащей участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. В области критических напряжений наблюдаются осцилляции тока и напряжения, а также наложенная на них модуляция. Обсуждаются возможные механизмы переключения, ионной проводимости, неупорядоченности и электрической неустойчивости в кристалле TlGaTe$_2$.
Поступила в редакцию: 03.04.2012
Принята в печать: 09.04.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 5, Pages 707–712
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613050199
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. М. Сардарлы, О. А. Самедов, А. П. Абдуллаев, Э. К. Гусейнов, Ф. Т. Салманов, Н. А. Алиева, Р. Ш. Агаева, “Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe$_2$, облученных $\gamma$-квантами”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 696–701; Semiconductors, 47:5 (2013), 707–712
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SarSamAbd13}
\by Р.~М.~Сардарлы, О.~А.~Самедов, А.~П.~Абдуллаев, Э.~К.~Гусейнов, Ф.~Т.~Салманов, Н.~А.~Алиева, Р.~Ш.~Агаева
\paper Ионная проводимость и диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe$_2$, облученных $\gamma$-квантами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 696--701
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7910}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319449}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 5
\pages 707--712
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613050199}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7910
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i5/p696
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025