Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 732–736 (Mi phts7916)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Влияние примесей фтора, азота и углерода на электронные и магнитные свойства WO$_3$

И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский

Институт химии твердого тела УрО РАН, г. Екатеринбург
PDF полного текста (571 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: В рамках теории функционала электронной плотности (программный пакет VASP) изучено влияние $sp$ примесей замещения: фтора (электронный допант), азота и углерода (дырочные допанты) на электронные и магнитные свойства триоксида вольфрама WO$_3$. Установлено, что эти примеси индуцируют переход триоксида вольфрама (немагнитный полупроводник) в состояние немагнитного металла (WO$_3$:F), магнитного полуметалла (WO$_3$:N) или магнитного металла (WO$_3$:С).
Поступила в редакцию: 09.06.2012
Принята в печать: 10.09.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 740–744
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060249
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский, “Влияние примесей фтора, азота и углерода на электронные и магнитные свойства WO$_3$”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 732–736; Semiconductors, 47:6 (2013), 740–744
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SheIva13}
\by И.~Р.~Шеин, А.~Л.~Ивановский
\paper Влияние примесей фтора, азота и углерода на электронные и магнитные свойства WO$_3$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 732--736
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7916}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319455}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 740--744
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060249}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7916
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p732
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025