Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 737–739 (Mi phts7917)  
Электронные свойства полупроводников

Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках

П. И. Баранскийa, Г. П. Гайдарb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Институт ядерных исследований НАН Украины
PDF полного текста (204 kB)
Аннотация: Предложен метод определения степени компенсации $k=N_a/N_d$ для примесей мелкого залегания в кристаллах $n$-Si с невырожденным электронным газом. Приведены необходимые данные, которые обеспечивают удобство при практическом нахождении степени компенсации.
Поступила в редакцию: 15.03.2012
Принята в печать: 19.09.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 745–748
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. И. Баранский, Г. П. Гайдар, “Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 737–739; Semiconductors, 47:6 (2013), 745–748
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BarGai13}
\by П.~И.~Баранский, Г.~П.~Гайдар
\paper Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 737--739
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7917}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319456}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 745--748
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7917
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p737
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025