О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках $a$-Si : H

Проведены исследования температурных зависимостей темновой проводимости и фотопроводимости отожженных и предварительно освещенных нелегированных пленок $a$-Si : H в различных режимах изменения температуры. Исследована также кинетика изменения фотопроводимости и темновой проводимости пленок во время и после их освещения при разных температурах. Показано, что аномальный характер полученных зависимостей может быть обусловлен образованием двух типов фотоиндуцированных дефектов, имеющих разную энергию образования и термического отжига и энергетические уровни, расположенные в разных областях запрещенной зоны исследованных пленок.