Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах $n$-ТiО$_2$/$p$-Si

Изготовлены анизотипные гетеропереходы $n$-ТiО$_2$/$p$-Si методом магнетронного напыления пленки ТiО$_2$ на полированную подложку поликристаллического кремния. Исследованы электрические свойства, и установлены доминирующие механизмы токопереноса: многоступенчатый туннельно-рекомбинационный механизм с участием поверхностных состояний на металлургической границе раздела TiO$_2$/Si при малых прямых смещениях $V$, туннелирование при $V >$ 0.6 В. Обратные токи через исследуемые гетеропереходы анализировались в рамках туннельного механизма токопереноса.