Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 793–796 (Mi phts7928)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Релаксация энергии неравновесных электронов в нанотрубке, сформированной свернутой квантовой ямой

С. М. Сеид-Рзаева

Институт физики НАН Азербайджана, AZ-1143 Баку, Азербайджан
Аннотация: Исследованы процессы релаксации энергии неравновесных электронов, расположенных на поверхности полупроводниковой нанотрубки. Получено общее аналитическое выражение времени релаксации энергии неравновесных электронов с учетом возможных межподзонных переходов при произвольном значении отношения радиуса нанотрубки к радиусу полярона $r_0/r_p$ и проведены численные расчеты для нанотрубки из полупроводникового GaAs.
Поступила в редакцию: 25.06.2012
Принята в печать: 28.08.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 804–807
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060237
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. М. Сеид-Рзаева, “Релаксация энергии неравновесных электронов в нанотрубке, сформированной свернутой квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 793–796; Semiconductors, 47:6 (2013), 804–807
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sei13}
\by С.~М.~Сеид-Рзаева
\paper Релаксация энергии неравновесных электронов в нанотрубке, сформированной свернутой квантовой ямой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 793--796
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7928}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319467}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 804--807
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7928
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p793
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025