Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 797–801 (Mi phts7929)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be

А. Д. Буравлёвabc, Д. В. Безнасюкab, Е. П. Гильштейнa, M. Tchernychevad, A. De Luna Bugallod, L. Riguttid, L. Yue, Yu. Proskuryakovf, И. В. Штромb, М. А. Тимофееваb, Ю. Б. Самсоненкоabc, А. И. Хребтовa, Г. Э. Цырлинabc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург
d Institut d’Electronique Fondamentale UMR CNRS 8622, University Paris Sud 11, 91405 Orsay Cedex, France
e Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces (LPICM), Ecole Polytechnique, CNRS, 91128 Palaiseau, France
f Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool, L69 7ZF, United Kingdom
PDF полного текста (743 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(111)B синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов GaAs : Be. Последовательное применение процессов фотолитографии, травления и металлизации позволило создать прототипы фотоэлектрических преобразователей, в которых выращенные массивы нитевидных нанокристаллов были использованы в качестве активных слоев. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения, продемонстрировало, что эффективность преобразования солнечной энергии составляет порядка 0.1%. С учетом площади, занимаемой одиночным нитевидным нанокристаллом $p$-типа на поверхности подложки GaAs $n$-типа, пересчитанное значение эффективности преобразования достигает величины 1.1%.
Поступила в редакцию: 01.11.2012
Принята в печать: 08.11.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 808–811
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060079
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Д. Буравлёв, Д. В. Безнасюк, Е. П. Гильштейн, M. Tchernycheva, A. De Luna Bugallo, L. Rigutti, L. Yu, Yu. Proskuryakov, И. В. Штром, М. А. Тимофеева, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, Г. Э. Цырлин, “Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 797–801; Semiconductors, 47:6 (2013), 808–811
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BouBezGil13}
\by А.~Д.~Буравлёв, Д.~В.~Безнасюк, Е.~П.~Гильштейн, M.~Tchernycheva, A.~De Luna Bugallo, L.~Rigutti, L.~Yu, Yu.~Proskuryakov, И.~В.~Штром, М.~А.~Тимофеева, Ю.~Б.~Самсоненко, А.~И.~Хребтов, Г.~Э.~Цырлин
\paper Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 797--801
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7929}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319468}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 808--811
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060079}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7929
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p797
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025