Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 802–804 (Mi phts7930)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Углеродные системы

Сравнительные характеристики спектров комбинационного рассеяния света пленок графена на проводящих и полуизолирующих подложках 6H-SiC

Р. В. Конаковаa, А. Ф. Коломысa, О. Б. Охрименкоa, В. В. Стрельчукa, Е. Ю. Волковb, М. Н. Григорьевb, А. М. Светличныйb, О. Б. Спиридоновb

a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
b Таганрогский технологический институт Южного федерального университета
PDF полного текста (326 kB) Список цитирования (14)
Аннотация: Исследованы спектры комбинационного рассеяния света (КРС) графена на полуизолирующих и проводящих подложках 6H-SiC, сформированных путем предварительного и дополнительного отжига карбида кремния при различных температурах. Оценены степень совершенства пленок графена и размеры его кластеров. Показано, что для получения слоев графена с аналогичным структурным совершенством на проводящих и полуизолирующих подложках температура дополнительного отжига в первом случае должна быть выше.
Поступила в редакцию: 18.07.2012
Принята в печать: 20.08.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 812–814
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. В. Конакова, А. Ф. Коломыс, О. Б. Охрименко, В. В. Стрельчук, Е. Ю. Волков, М. Н. Григорьев, А. М. Светличный, О. Б. Спиридонов, “Сравнительные характеристики спектров комбинационного рассеяния света пленок графена на проводящих и полуизолирующих подложках 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 802–804; Semiconductors, 47:6 (2013), 812–814
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KonKolOkh13}
\by Р.~В.~Конакова, А.~Ф.~Коломыс, О.~Б.~Охрименко, В.~В.~Стрельчук, Е.~Ю.~Волков, М.~Н.~Григорьев, А.~М.~Светличный, О.~Б.~Спиридонов
\paper Сравнительные характеристики спектров комбинационного рассеяния света пленок графена на проводящих и полуизолирующих подложках 6\emph{H}-SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 802--804
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7930}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319469}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 812--814
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7930
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p802
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025