Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 805–809 (Mi phts7931)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Углеродные системы

К теории электронных состояний системы "квантовая точка–графен–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si"

З. З. Алисултановab

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, 367003 Махачкала, Россия
PDF полного текста (204 kB) Список цитирования (6)
Аннотация: Исследованы электронные состояния системы "квантовая точка–монослой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si" во внешнем магнитном поле. Получено аналитическое выражение для величины переходящего заряда в такой системе. Рассмотрены электронные состояния системы "квантовая точка–бислой графена–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si". Исследуемые системы интересны с точки зрения возможности управления оптическими свойствами квантовой точки с помощью приложенного электрического поля.
Поступила в редакцию: 24.05.2012
Принята в печать: 28.08.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 815–819
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261306002X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. З. Алисултанов, “К теории электронных состояний системы "квантовая точка–графен–подложка SiO$_2$+$n^+$-Si"”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 805–809; Semiconductors, 47:6 (2013), 815–819
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ali13}
\by З.~З.~Алисултанов
\paper К теории электронных состояний системы ``квантовая точка--графен--подложка SiO$_2$+$n^+$-Si''
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 805--809
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7931}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319470}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 815--819
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261306002X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7931
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p805
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025