Инжекционный фотодиод на основе гетероструктуры $n$-CdS/$p$-CdTe

Показана возможность создания инжекционных фотодиодов с перестраиваемым спектром фоточувствительности в спектральном диапазоне 500–800 nm на основе $n$-CdS/$p$-CdTe-гетероструктуры. Установлено, что такая структура в коротковолновой области спектра, $\lambda$ = 500 нм, имеет самую высокую спектральную чувствительность $S_\lambda\approx$ 3 А/Вт в прямом направлении при напряжении смещения $V$ = + 120 мВ и $S_\lambda\approx$ 2 А/Вт в обратном направлении при напряжении смещения $V$ = - 120 мВ. Интегральная чувствительность прибора $S_{\mathrm{int}}$ = 2400 А/люмен при освещении белым светом $E$ = 4 $\cdot$ 10$^{-2}$ лк, напряжении смещения $V$ = + 4.6 В и температуре $T$ = 293 K. При освещении же монохроматическим светом от лазера ЛГ-75 длиной волны $\lambda$ = 625 nm $S_{\mathrm{int}}$ = - 1400 А/Вт (мощность освещения $P$ = 18 $\cdot$ 10$^{-6}$ Вт/см$^2$, напряжение смещения $V$ = + 4.6 В и температура $T$ = 293 K). Высокие значения $S_\lambda$ и $S_{\mathrm{int}}$ обеспечивают высокую эффективность превращения световой энергии в электрическую при малых уровнях освещенности ($P<$ 18 $\cdot$ 10$^{-6}$ Вт/см$^2$).