Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 821–824 (Mi phts7934)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)

А. Н. Именковa, В. В. Шерстневa, И. В. Ковалёвa, Н. Д. Ильинскаяa, О. Ю. Серебренниковаa, R. Teissierb, А. Н. Барановb, Ю. П. Яковлевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Institut d'Electronique du Sud (IES), Université Montpellier 2, CNRS, IES (UMR CNRS 5214), 34095 Montpellier, France
PDF полного текста (319 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Исследована температурная зависимость порогового тока и спектров излучения дисковых квантово-размерных WGM-лазеров в интервале температур 80–463 K, при этом длина волны лазерного излучения увеличивается от 2 до 2.5 мкм. Показано, что лазерная генерация наблюдается до 190$^\circ$C. Обнаружено преобладание излучательной рекомбинации до температуры 300 K и безызлучательной оже-рекомбинации, при которой рекомбинирующий электрон отдает энергию другому электрону, при более высоких температурах. Участие спин-орбитально отщепленной валентной подзоны в рекомбинационных процессах не обнаруживается, что объясняется механическим сжатием материала квантовых ям.
Поступила в редакцию: 17.09.2012
Принята в печать: 23.09.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 831–834
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060109
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, И. В. Ковалёв, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 821–824; Semiconductors, 47:6 (2013), 831–834
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ImeSheKov13}
\by А.~Н.~Именков, В.~В.~Шерстнев, И.~В.~Ковалёв, Н.~Д.~Ильинская, О.~Ю.~Серебренникова, R.~Teissier, А.~Н.~Баранов, Ю.~П.~Яковлев
\paper Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0--2.5 мкм)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 821--824
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7934}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319473}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 831--834
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060109}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7934
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p821
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025