Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 828–832 (Mi phts7936)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

ЭДС холостого хода неидеального гетероперехода

В. А. Борщак, В. А. Смынтына, Е. В. Бритавский, А. А. Карпенко, Н. П. Затовская

Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
PDF полного текста (226 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Показана возможность применения модели туннельно-рекомбинационного переноса для расчета эдс холостого хода освещенного неидеального гетероперехода. Применена методика фотовозбуждения светом различного спектрального состава, объяснено различие в поведении зависимости эдс от освещенности. Проведен расчет значений фотоэдс гетероперехода с учетом преобладания туннельно-рекомбинационного механизма переноса в барьерной области и с учетом изменения формы потенциального барьера при освещении. Показано, что рассчитанные при разных уровнях освещения зависимости хорошо согласуются с полученными экспериментально.
Поступила в редакцию: 15.10.2012
Принята в печать: 22.10.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 838–843
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060067
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Борщак, В. А. Смынтына, Е. В. Бритавский, А. А. Карпенко, Н. П. Затовская, “ЭДС холостого хода неидеального гетероперехода”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 828–832; Semiconductors, 47:6 (2013), 838–843
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BorSmyBry13}
\by В.~А.~Борщак, В.~А.~Смынтына, Е.~В.~Бритавский, А.~А.~Карпенко, Н.~П.~Затовская
\paper ЭДС холостого хода неидеального гетероперехода
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 828--832
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7936}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319475}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 838--843
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060067}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7936
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p828
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025