Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 833–837 (Mi phts7937)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона

С. А. Блохинabc, М. А. Бобровac, Н. А. Малеевac, А. Г. Кузьменковac, В. В. Стеценкоc, М. М. Павловac, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, Ю. М. Задирановa, А. Ю. Егоровc, В. М. Устиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (471 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Исследовано влияние уровня внутренних и внешних оптических потерь на динамические характеристики вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ) спектрального диапазона 850 нм. Показано, что увеличение внутренних потерь ведет к падению быстродействия лазера и преобладанию тепловых эффектов, тогда как уменьшение потерь на вывод излучения ведет к повышению быстродействия лазера и доминированию демпфирования эффективной частоты модуляции. Созданы и исследованы линейные матричные излучатели формата 1$\times$ 4 на основе быстродействующих ВИЛ с индивидуальной адресацией элементов. Индивидуальные лазерные излучатели с диаметром токовой апертуры 5–7 мкм демонстрируют лазерную генерацию в непрерывном режиме при комнатной температуре в диапазоне 850 нм с пороговыми токами не более 0.5 мА, дифференциальной эффективностью не менее 0.6 Вт/А, полосой модуляции до 20 ГГц и MCEF-фактором $\sim$ 10 ГГц/мА$^{1/2}$.
Поступила в редакцию: 02.11.2012
Принята в печать: 12.11.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 844–848
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Блохин, М. А. Бобров, Н. А. Малеев, А. Г. Кузьменков, В. В. Стеценко, М. М. Павлов, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Ю. М. Задиранов, А. Ю. Егоров, В. М. Устинов, “Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 833–837; Semiconductors, 47:6 (2013), 844–848
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BloBobMal13}
\by С.~А.~Блохин, М.~А.~Бобров, Н.~А.~Малеев, А.~Г.~Кузьменков, В.~В.~Стеценко, М.~М.~Павлов, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, Ю.~М.~Задиранов, А.~Ю.~Егоров, В.~М.~Устинов
\paper Влияние оптических потерь на динамические характеристики линейных матричных излучателей на основе вертикально-излучающих лазеров ближнего инфракрасного диапазона
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 833--837
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7937}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319476}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 844--848
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7937
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p833
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025