Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 6, страницы 854–858 (Mi phts7940)  

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире

Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, М. Д. Пегасина

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: На начальных стадиях гетероэпитаксии кремния на сапфире экспериментально обнаружено образование наноостровков двух форм: куполообразных и в форме усеченного купола. Получены снимки атомарного разрешения островков кремния на сапфире методом просвечивающей электронной микроскопии. В работе предложена модель, объясняющая нестабильность формы островков и их переход от изотропности к анизотропии формы, а также описывающая эволюцию средних геометрических размеров островков с увеличением времени роста. Показано, что зависимость диаметра от высоты близка к линейной, но при больших размерах островков наблюдается значительное расхождение с экспериментальными данными вследствие процесса коалесценции, который не учитывается моделью.
Поступила в редакцию: 06.08.2012
Принята в печать: 13.08.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 6, Pages 865–869
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613060213
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, М. Д. Пегасина, “Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 854–858; Semiconductors, 47:6 (2013), 865–869
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PavShiPir13}
\by Д.~А.~Павлов, П.~А.~Шиляев, А.~В.~Пирогов, Н.~О.~Кривулин, А.~И.~Бобров, М.~Д.~Пегасина
\paper Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 854--858
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7940}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319479}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 6
\pages 865--869
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613060213}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7940
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i6/p854
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025