Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 882–889 (Mi phts7945)  
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn

В. А. Ромакаab, P. F. Roglc, В. В. Ромакаb, Ю. В. Стадныкd, E. K. Hlile, В. Я. Крайовскийb, А. М. Горыньd

a Институт прикладных проблем механики и математики им. Я. С. Пидстригача НАН Украины, г. Львов
b Национальный университет ``Львовская политехника''
c Институт физической химии Венского университета, A-1090 Вена, Австрия
d Львовский национальный университет им. И. Франко
e Институт Нееля Национального центра научных исследований, 38042 Гренобль, Франция
PDF полного текста (638 kB) Список цитирования (14)
Аннотация: Исследованы кристаллическая структура, распределение электронной плотности, энергетические, кинетические и магнитные характеристики интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn, сильно легированнного примесью Ni. Обнаружен эффект аккумулирования избыточного количества атомов Ni$_{1+x}$ в тетраэдрических пустотах кристаллической структуры полупроводника, а также установлена донорная природа такого структурного дефекта, изменяющего свойства полупроводника. Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского–Эфроса.
Поступила в редакцию: 03.09.2012
Принята в печать: 12.09.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 7, Pages 892–898
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613070208
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. А. Ромака, P. F. Rogl, В. В. Ромака, Ю. В. Стаднык, E. K. Hlil, В. Я. Крайовский, А. М. Горынь, “Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 882–889; Semiconductors, 47:7 (2013), 892–898
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RomRogRom13}
\by В.~А.~Ромака, P.~F.~Rogl, В.~В.~Ромака, Ю.~В.~Стаднык, E.~K.~Hlil, В.~Я.~Крайовский, А.~М.~Горынь
\paper Эффект аккумулирования избыточных атомов Ni в кристаллической структуре интерметаллического полупроводника $n$-ZrNiSn
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 882--889
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7945}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319484}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 892--898
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613070208}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7945
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i7/p882
    • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025