Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2013, том 47, выпуск 7, страницы 890–898 (Mi phts7946)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Новые акцепторные центры фоновых примесей в $p$-CdZnTe

С. В. Пляцко, Л. В. Рашковецкий

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
PDF полного текста (454 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Низкотемпературная фотолюминесценция была использована для исследования перераспределения фоновых примесей и основных компонентов монокристаллов CdZnTe $p$-типа проводимости с удельным сопротивлением 1–50 Ом $\cdot$ см при взаимодействии с лазерным инфракрасным излучением. Установлен эффект увеличения ширины запрещенной зоны и образования новых акцепторных центров в результате лазерно-стимулированных изменений в системе собственных дефектов. Найдена энергия активации новых акцепторных уровней.
Поступила в редакцию: 24.05.2012
Принята в печать: 19.10.2012
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2013, Volume 47, Issue 7, Pages 899–907
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782613070191
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Пляцко, Л. В. Рашковецкий, “Новые акцепторные центры фоновых примесей в $p$-CdZnTe”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 890–898; Semiconductors, 47:7 (2013), 899–907
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PlyRas13}
\by С.~В.~Пляцко, Л.~В.~Рашковецкий
\paper Новые акцепторные центры фоновых примесей в $p$-CdZnTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 890--898
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts7946}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20319485}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2013
\vol 47
\issue 7
\pages 899--907
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782613070191}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts7946
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v47/i7/p890
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025