Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек

С целью получения статистических данных о размерах квантовых точек используется анализ топографических изображений, полученных методом атомно-силовой микроскопии. В силу неидеальности подложки, содержащей на расстояниях 1–10 мкм перепады высоты величиной порядка размера наночастиц, а также недостаточного разрешения близко расположенных точек из-за конечности радиуса закругления зонда АСМ автоматизация процесса статистического анализа их большого массива требует специальных методик обработки топографических изображений, устраняющих потерю части частиц, возникающую при обычной обработке. В качестве такой методики применена свертка исходной матрицы АСМ изображения со специально подобранной матрицей, позволяющей определить положение каждой наночастицы и затем, используя исходную матрицу, измерить их геометрические параметры. Приведены результаты статистического анализа указанным методом самоорганизованных квантовых точек InAs, сформированных на поверхности эпитаксиального слоя AlGaAs. Показано, что их концентрация, средний размер и полуширина распределения по высоте существенно зависят от потока In и общего объема осажденного InAs, изменяющихся в незначительных пределах.