Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP

Исследовано влияние ширины квантовой ямы $L$ и легирования на зонную структуру, рассеяние и подвижность электронов в наногетероструктурах с изоморфной квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/ In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As, выращенных на подложках InP. Из данных по эффекту Шубникова–де-Гааза получены квантовые и транспортные подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизированных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизированных примесях в исследуемых образцах является доминирующим. При температурах ниже 170 K обнаружена замороженная фотопроводимость, обусловленная пространственным разделением фотовозбужденных носителей заряда.