Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN

Создание приборов на основе широкозонных полупроводников является одним из наиболее быстроразвивающихся направлений современной электроники. В статье проведено сравнение влияния температуры облучения на радиационную стойкость GaN при облучении протонами и электронами. Определена скорость удаления носителей в GaN в случае облучения протонами и электронами при повышенных температурах. Показано, что, как и в случае SiC, происходит значительное уменьшение скорости удаления носителей при температуре облучения 200$^\circ$C по сравнению с облучением при комнатной температуре.